【業(yè)績超預(yù)期引爆股價(jià)，美光盤前續(xù)漲超2%】?
當(dāng)?shù)貢r(shí)間12月19日，美股盤前交易中，美光科技（MU.US）延續(xù)昨日強(qiáng)勢，股價(jià)續(xù)漲超2%，報(bào)253.8美元。前一交易日，該股已大漲超10%，市場熱情源于其首季業(yè)績的“爆炸性增長”與多家投行的一致看好。作為全球存儲芯片龍頭，美光憑借AI與數(shù)據(jù)中心需求爆發(fā)實(shí)現(xiàn)業(yè)績躍升，成為半導(dǎo)體行業(yè)“寒冬”中的一抹亮色。
一、首季業(yè)績“炸裂”：營收同比增56.7%，經(jīng)營利潤暴增168.1%?
美光科技最新公布的2026財(cái)年第一季度（截至11月30日）財(cái)報(bào)顯示，公司業(yè)績遠(yuǎn)超市場預(yù)期，核心指標(biāo)全線飄紅：
營收：136.4億美元，同比增長56.7%（去年同期為87.1億美元），創(chuàng)下單季營收歷史新高；
經(jīng)營利潤：64.19億美元，同比大增168.1%（去年同期為23.9億美元），利潤率提升至47.1%（去年同期27.4%）；
次季指引：公司預(yù)計(jì)第二季度營收將達(dá)145億-155億美元（市場預(yù)期138億美元），調(diào)整后每股收益2.8-3.2美元（市場預(yù)期2.5美元），雙雙超預(yù)期。
業(yè)績增長的核心驅(qū)動力來自AI與數(shù)據(jù)中心對高帶寬內(nèi)存（HBM）、DDR5等高端存儲芯片的強(qiáng)勁需求。美光管理層在電話會議中透露，其HBM3E芯片已獲英偉達(dá)、AMD等AI芯片巨頭批量訂單，數(shù)據(jù)中心業(yè)務(wù)收入同比增超80%，成為業(yè)績增長“主引擎”。
二、大行“組團(tuán)”上調(diào)目標(biāo)價(jià)：摩根士丹利列為“首選”，最高看至350美元?
亮眼業(yè)績引發(fā)華爾街投行集體“唱多”，多家機(jī)構(gòu)上調(diào)目標(biāo)價(jià)并強(qiáng)化評級：
摩根士丹利：再次將美光列為“半導(dǎo)體行業(yè)首選股票”，目標(biāo)價(jià)從338美元上調(diào)至350美元（較當(dāng)前股價(jià)潛在漲幅38%），分析師稱“除英偉達(dá)外，這可能是美國半導(dǎo)體行業(yè)歷史上收入/凈利潤增長幅度最大的一次”；
美國銀行：目標(biāo)價(jià)從250美元大幅上調(diào)至300美元，評級從“中性”上調(diào)至“買入”，強(qiáng)調(diào)“AI驅(qū)動的內(nèi)存升級周期才剛剛開始”；
花旗集團(tuán)：目標(biāo)價(jià)從300美元上調(diào)至330美元，維持“買入”評級，認(rèn)為“美光在HBM領(lǐng)域的市場份額提升將推動估值重塑”。
投行一致看好背后，是對“AI+存儲”長期趨勢的確認(rèn)。高盛此前報(bào)告指出，2025-2030年全球AI服務(wù)器存儲市場規(guī)模將年增35%，美光作為HBM核心供應(yīng)商，有望持續(xù)受益。
三、行業(yè)背景：存儲芯片“周期反轉(zhuǎn)”，AI成“破局關(guān)鍵”?
美光的業(yè)績爆發(fā)，折射出全球存儲芯片行業(yè)正從“下行周期”轉(zhuǎn)向“AI驅(qū)動的新增長周期”。過去兩年，存儲芯片因消費(fèi)電子需求疲軟陷入低迷（2023年行業(yè)營收同比降30%），但隨著AI大模型訓(xùn)練、數(shù)據(jù)中心算力擴(kuò)張對“高帶寬、低功耗”存儲的需求激增，行業(yè)格局重塑：
產(chǎn)品結(jié)構(gòu)升級：HBM（高帶寬內(nèi)存）單價(jià)是傳統(tǒng)DRAM的5-10倍，2025年美光HBM收入占比已升至25%（2023年僅5%）；
競爭格局優(yōu)化：三星、SK海力士、美光三大巨頭占據(jù)全球HBM 90%以上份額，技術(shù)壁壘與產(chǎn)能集中推動行業(yè)利潤率回升。
【結(jié)語：AI浪潮下的“存儲龍頭”，美光能否持續(xù)領(lǐng)跑？】?
美光科技的首季業(yè)績，不僅是自身“技術(shù)+產(chǎn)能”的勝利，更是AI驅(qū)動存儲芯片需求爆發(fā)的縮影。從盤前續(xù)漲到投行上調(diào)目標(biāo)價(jià)，市場用“真金白銀”表達(dá)了對公司前景的樂觀。隨著AI服務(wù)器滲透率提升（預(yù)計(jì)2026年全球AI服務(wù)器出貨量增50%），美光在HBM、DDR5等領(lǐng)域的優(yōu)勢有望進(jìn)一步擴(kuò)大，其“存儲龍頭”地位或?qū)㈦SAI浪潮持續(xù)鞏固。